TIP122中文资料
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- 大小：225.02KB
- 厂家：TD
- 描述：Dated：21/09/2016 Rev：02 TOP DYNAMIC TIP122 NPN Silicon Power Darlington Transistor for power switching and amplifier applications Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage V CBO 100 V Collector Emitter Voltage V CEO 100 V Emitter Base Voltage V EBO 5 V Collector Current I C 5 A Collector Current (Pulse) I CP 8 A Base Current I B 0.12 A Power Dissipation (T a = 25 O C) P C 2 W Power Dissipation (T c = 25 O C) P C 65 W Junction Temperature T j 150 O C Storage Temperature Range T stg - 65 to + 150 O C Characteristics at T a = 25 O C Parameter Symbol Min. Max. Unit DC Current Gain at V CE = 3 V, I C = 0.5 A at V CE = 3 V, I C = 3 A h FE h FE 1000 1000 - - - - Collector Base Cutoff Current at V CB = 100 V I CBO - 0.2 mA Collector Emitter Cutoff Current at V CE = 50 V I CEO - 0.5 mA Emitter Base Cutoff Current
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：5A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：4V @ 20mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大）：500µA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：1000 @ 3A，3V
- 功率 - 最大：2W
- 频率 - 转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
- 其它名称：TIP122OS
TIP122供应商
更新时间:2022-12-31 02:00:40- 供应商
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严选现货
严选现货= 现货+好口碑+品质承诺
带有此标记的料号：
1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了2万保证金，经维库认证中心严格审查。
2. 供应商承诺此料号是“现货” ，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。
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